是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-264AA | 包装说明: | TO-264AA, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | 其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 260 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-264AA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1250 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 1590 ns |
标称接通时间 (ton): | 109 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGK82N120B3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs | |
IXGK82N120B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGL200N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGL200N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGL50N60BD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN | |
IXGL75N250 | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa | |
IXGL75N60BU1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN | |
IXGM10N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE | |
IXGM10N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE | |
IXGM10N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |