型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGK60N60B2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGK60N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT with Diode | |
IXGK60N60C2D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK64N60B3D1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGK64N60B3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK72N60A3H1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT w/Diode | |
IXGK72N60A3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGK72N60B3H1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGK72N60B3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK75N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, |