Datasheet > IXGK50N60B2D1

IXGK50N60B2D1

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	628K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGK50N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGK50N60B2D1 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TM

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

= 2.0 V

= 65 ns

IXGK50N60B2D1

IXGX 50N60B2D1

IGBT with Diode

V_CE(sat)

t_fi(typ)

B2-Class High Speed IGBTs

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264

(IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

PLUS247

(IXGX)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 110°C (50N60B2D1 Diode)

T_C= 25°C, 1 ms

(TAB)

200

G = Gate

C = Collector

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 80

E = Emitter

Tab = Collector

(RBSOA)

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

P_C

T_C= 25°C

400

Features

• High frequency IGBT and

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

anti-parallel FRED in one package

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

M_d

Mounting torque, TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

with soft recovery and low I_RM

Weight

TO-264

PLUS247

Applications

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

• Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

• DC choppers

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

600

µA

V_GE= 0^CV^ES

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

2.0

Advantages

• Space savings (two devices in one

V_CE(sat)

I_C= 40 A, V_GE= 15 V

Note 1

1.6

1.5

package)

• Easy to mount with 1 screw

T_J= 125°C

DS99146A(03/04)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGK50N60B2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK50N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGK50N90B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK55N120A3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXGK55N120A3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs w/ Diode
IXGK55N120A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK60N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGK60N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode

与IXGK50N60B2D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK50N60B2D1

IXGK50N60B2D1 技术参数

IXGK50N60B2D1 数据手册

与IXGK50N60B2D1相关器件

与IXGK50N60B2D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK50N60B2D1

IXGK50N60B2D1 技术参数

IXGK50N60B2D1 数据手册

与IXGK50N60B2D1相关器件

与IXGK50N60B2D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？