Datasheet > IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1

更新时间： 2024-11-20 22:41:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	165K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGK50N60BU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	200 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
Base Number Matches：	1

IXGK50N60BU1 数据手册

HiPerFAST^TM

IGBT with Diode

V_CES

I_C25V_CE(sat)

t_fi

IXGK 50N50BU1

IXGK 50N60BU1

500 V 75 A 2.3 V 100ns

600 V 75 A 2.5 V 120ns

CombiPack

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-264 AA

50N50

50N60

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

500

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

Features

●

Internationalstandardpackage

JEDEC TO-264 AA

P_C

T_C= 25°C

300

●

High frequency IGBT and anti-

parallel FRED in one package

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

●

M_d

Mounting torque (M4)

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

●

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

Symbol

BV_CES

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

●

Switch-modeandresonant-mode

I_C= 500 mA, V_GE= 0 V

I_C= 500 mA, V_CE= V_GE

50N50

50N60

500

600

2.5

powersupplies

V_GE(th)

I_CES

5.5

Advantages

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

15 mA

●

Space savings (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

●

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

(isolatedmountingscrewhole)

Reduces assembly time and cost

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

50N50BU1

50N60BU1

2.3

2.5

●

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97510A(1/98)

1 - 6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGK50N60BU1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK50N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGK50N90B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK55N120A3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXGK55N120A3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs w/ Diode
IXGK55N120A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK60N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGK60N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGK50N60BU1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1 技术参数

IXGK50N60BU1 数据手册

与IXGK50N60BU1相关器件

与IXGK50N60BU1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1 技术参数

IXGK50N60BU1 数据手册

与IXGK50N60BU1相关器件

与IXGK50N60BU1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？