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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 99K |  |
| 描述 | ||
| Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.29 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 125 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 460 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGK55N120A3H1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs w/ Diode |
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| IXGK55N120A3H1 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGK60N60 | IXYS |
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT |
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| IXGK60N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGK60N60C2D1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT with Diode |
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| IXGK60N60C2D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGK64N60B3D1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT with Diode |
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| IXGK64N60B3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGK72N60A3H1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT w/Diode |
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| IXGK72N60A3H1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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