Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGK50N60AU1

IXGK50N60AU1

更新时间： 2024-11-04 22:41:07

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGK50N60AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	200 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	880 ns	标称接通时间 (ton)：	290 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

IXGK50N60AU1 数据手册

HiPerFAST^TM

IGBT with Diode

IXGK 50N60AU1 V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

V_CE(sat)= 2.7 V

Combi Pack

t_fi

= 275 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264 AA

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C, limited by leads

T_C= 90°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

Features

Clamped inductive load, L = 30 µH

P_C

T_C= 25°C

300

International standard package

JEDEC TO-264 AA

High frequency IGBT and anti-

parallel FRED in one package

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M4)

0.9/6 Nm/lb.in.

- for minimum on-state conduction

losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 500 µA, V_GE= 0 V

I_C= 500 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 µA

15 mA

Space savings (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

(isolated mounting screw hole)

Reduces assembly time and cost

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.7

92821G (3/97)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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