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IXGK50N50BU1

更新时间： 2024-11-04 22:41:11

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	165K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

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IXGK50N50BU1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	200 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
Base Number Matches：	1

IXGK50N50BU1 数据手册

HiPerFAST^TM

IGBT with Diode

V_CES

I_C25V_CE(sat)

t_fi

IXGK 50N50BU1

IXGK 50N60BU1

500 V 75 A 2.3 V 100ns

600 V 75 A 2.5 V 120ns

CombiPack

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-264 AA

50N50

50N60

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

500

600

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

Features

●

Internationalstandardpackage

JEDEC TO-264 AA

P_C

T_C= 25°C

300

●

High frequency IGBT and anti-

parallel FRED in one package

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low I_RM

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

●

M_d

Mounting torque (M4)

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

●

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

Symbol

BV_CES

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

●

Switch-modeandresonant-mode

I_C= 500 mA, V_GE= 0 V

I_C= 500 mA, V_CE= V_GE

50N50

50N60

500

600

2.5

powersupplies

V_GE(th)

I_CES

5.5

Advantages

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

15 mA

●

Space savings (two devices in one

package)

Easy to mount with 1 screw

●

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

(isolatedmountingscrewhole)

Reduces assembly time and cost

High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

50N50BU1

50N60BU1

2.3

2.5

●

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97510A(1/98)

1 - 6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK50N60A2D1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode
IXGK50N60A2U1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3
IXGK50N60AU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
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