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IXBF55N300

更新时间： 2024-11-21 21:21:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	210K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAK-3

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IXBF55N300 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	ISOPLUS	包装说明：	ISOPLUS, I4PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	73 A	集电极-发射极最大电压：	3000 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	25 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	475 ns
标称接通时间 (ton)：	637 ns	Base Number Matches：	1

IXBF55N300 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TM

V_CES= 3000V

I_C110= 34A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBF55N300

Monolithic Bipolar

MOS Transistor

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

3000

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 25

± 35

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

1 = Gate

2 = Emitter

5 = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 110

V_CE≤ 0.8 • V_CES

T_SC

(SCSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C,

R_G= 10Ω, V_CE= 1250V, Non-Repetitive

Features

μs

P_C

T_C= 25°C

357

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

4000V~ Electrical Isolation

-55 ... +150

High Blocking Voltage

High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in.

Advantages

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

4000

Low Gate Drive Requirement

High Power Density

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Applications

Min.

3000

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

5.0

50 μA

±200 nA

Note 2, T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 25V

AC Switches

V_CE(sat)

I_C= 55A, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.3

3.2

T_J= 125°C

DS100205B(11/11)

12 3 4 5 6

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IXBF55N300 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGX320N60B3	IXYS	功能相似	GenX3 600V IGBTs
IXGK320N60B3	IXYS	功能相似	GenX3 600V IGBTs

与IXBF55N300相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBF9N140	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET
IXBF9N140G	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3
IXBF9N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET
IXBF9N160G	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH10N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH10N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH10N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH12N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH12N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH14N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

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