5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | ISOPLUS | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 1400 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 190 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 340 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBF9N160 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFET |
|
| IXBF9N160G | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
|
| IXBH10N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
|
| IXBH10N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
|
| IXBH10N300HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXBH12N300 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
|
| IXBH12N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA |
|
| IXBH14N300HV | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| IXBH14N300HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IXBH15N140 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
