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IXBH16N170A

更新时间： 2024-09-16 14:55:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBH16N170A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.19
Base Number Matches：	1

IXBH16N170A 数据手册

Advanced Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

BipolarMOSTransistor

IXBH 16N170A

IXBT 16N170A

V_CES= 1700 V

I_C25= 16 A

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi(typ)

= 50 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 W

Clampedinductiveload

I_CM

V_CES

1350

C (TAB)

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CES= 1200V, T_J= 125°C

R_G= 33 W non repetitive

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• Monolithicfastreversediode

• HighBlockingVoltage

-55 ... +150

• JEDEC TO-268 surface mount and

JEDEC TO-247 AD packages

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

• Low switching losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

M_d

Mountingtorque(M3)(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1700

2.5

5.5

• Capacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V; Note 1

50 mA

1.5 mA

Advantages

T_J= 125°C

• Lower conduction losses than MOSFETs

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

Note 2

6.0

T_J= 125°C

5.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98707(02/23/00)

1 - 2

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH20N140	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBH20N360HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH22N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH24N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXBH24N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

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