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IXBH20N140

更新时间： 2024-09-14 22:12:15

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IXYS		晶体双极型晶体管功率控制高压栅局域网
页数	文件大小	规格书
4页	64K
描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH20N140 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	1400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	220 ns	标称接通时间 (ton)：	260 ns
Base Number Matches：	1

IXBH20N140 数据手册

High Voltage BIMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

IXBH 20N140 V_CES= 1400/1600V

IXBH 20N160 I_C25= 20 A

MOSTransistor

V_CE(sat)= 4.7 V typ.

N-Channel, Enhancement Mode

t_fi

= 40 ns

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

20N140

20N160

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1400

1600

• HighVoltageBIMOSFET^TM

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

- replaceshighvoltageDarlingtons

and series connected MOSFETs

- lower effective R_DS(on)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

• Monolithicconstruction

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C,

- highblockingvoltagecapability

- very fast turn-off characteristics

• MOS Gate turn-on

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

- drive simplicity

• Reverse conducting capability

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 27 W V_CE= 0.8•V_CESI_CM= 24

Clamped inductive load, L = 100 mH

P_C

T_C= 25°C

200

Applications

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Flyback converters

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

M_d

1.15/10 Nm/lb.in.

• CRTdeflection

• Lampballasts

Weight

Symbol

BV_CES

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Advantages

min. typ. max.

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 1.5 mA, V_CE= V_GE

20N140

20N160

1400

1600

• High power density

V_GE(th)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

300 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

± 500 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.7

5.4

6.5

T_J= 125°C

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH20N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBH20N360HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH22N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH24N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXBH24N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH28N170A	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC
IXBH28N170A	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC

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