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IXBH20N300

更新时间： 2024-09-15 21:10:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	175K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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IXBH20N300 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.47
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	3000 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	695 ns	标称接通时间 (ton)：	608 ns
Base Number Matches：	1

IXBH20N300 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBH20N300

IXBT20N300

TO-268 (IXBT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

3000

C (Tab)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-247 (IXBH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

140

C (Tab)

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 20Ω

I_CM= 130

1500

Clamped Inductive Load

G = Gate

E = Emiiter

= Collector

P_C

T_C= 25°C

250

Tab = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

High Blocking Voltage

^zAnti-Parallel Diode

^zInternational Standard Packages

^zLow Conduction Losses

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Advantages

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

2.5

5.0

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

35 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

Applications:

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.7

3.2

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125°C

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

DS100124A(12/12)

12 3 4 5

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