是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.68 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 30 A |
集电极-发射极最大电压: | 1700 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBH2N250 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBH2N250 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 | |
IXBH32N300 | IXYS |
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Preliminary Technical Information | |
IXBH32N300 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH32N300HV | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH40N140 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode | |
IXBH40N140A | IXYS |
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暂无描述 | |
IXBH40N160 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode | |
IXBH40N160 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH40N160A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, |