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IXBF9N160G

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	163K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBF9N160G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	120 ns	标称接通时间 (ton)：	140 ns
Base Number Matches：	1

IXBF9N160G 数据手册

IXBF 9N160 G

7 A

V_CES= 1600 V

V_CE(sat)= 4.9 V

I_C25

High Voltage

BIMOSFET^TM

in High Voltage ISOPLUS i4-PAC^TM

t_f

= 70 ans

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features

IGBT

• High Voltage BIMOSFET^TM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_GES

T_VJ= 25°C to 150°C

1600

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- reverse conduction capability

• ISOPLUS i4-PAC^TM

10/0

I_CM

V_CEK

V_GE

V; R_G= 27 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

0.8·V_CES

high voltage package

- isolated back surface

P_tot

T_C= 25°C

- enlarged creepage towards heatsink

- enlarged creepage between high

voltage pins

- application friendly pinout

- high reliability

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

- industry standard outline

V_CE(sat)

I_C= 5 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

4.9

5.6

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

• resonant converters

V_GE(th)

I_CES

I_C= 0.5 mA; V_GE= V_CE

3.5

5.5

V_CE= 0.8V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.1 mA

• lamp ballasts

0.1

• laser generators, x ray generators

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

500 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

140

200

120

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 960 V; I_C= 5 A

10/0

V; R_G= 27 Ω

V_GE

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600V; V_GE= 10 V; I_C= 5 A

550

V_F

(reverse conduction); I_F= 5 A

3.6

R_thJC

1.75 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4 5

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与IXBF9N160G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH10N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH10N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH10N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH12N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH12N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH14N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBH14N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH15N140	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH15N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3

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