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IXBH15N140

更新时间： 2024-09-14 22:12:15

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IXYS		晶体双极型晶体管功率控制双极性晶体管高压栅局域网
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4页	65K
描述
High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBH15N140 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	1400 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	220 ns
标称接通时间 (ton)：	260 ns	Base Number Matches：	1

IXBH15N140 数据手册

High Voltage BIMOSFET^TM

Monolithic Bipolar

IXBH 15N140 V_CES= 1400/1600V

IXBH 15N160 I_C25= 15 A

MOS Transistor

V_CE(sat)= 5.8 V typ.

N-Channel, Enhancement Mode

t_fi

= 40 ns

TO-247 AD

C (TAB)

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

15N140

15N160

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1400

1600

• HighVoltageBIMOSFET^TM

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

- replaceshighvoltageDarlingtons

and series connected MOSFETs

- lower effective R_DS(on)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

• Monolithicconstruction

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C,

- highblockingvoltagecapability

- very fast turn-off characteristics

• MOS Gate turn-on

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

- drive simplicity

• Reverse conducting capability

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 47 W V_CE= 0.8•V_CESI_CM= 18

Clamped inductive load, L = 100 mH

P_C

T_C= 25°C

150

Applications

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Flyback converters

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

M_d

1.15/10 Nm/lb.in.

• CRTdeflection

• Lampballasts

Weight

Symbol

BV_CES

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Advantages

min. typ. max.

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

15N140

15N160

1400

1600

• High power density

V_GE(th)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

0.1

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

± 500 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

5.8

7.7

7.0

T_J= 125°C

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBH15N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3
IXBH16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH20N140	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXBH20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA

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