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IXBH10N170

更新时间： 2024-09-14 14:56:07

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力特 - LITTELFUSE		局域网栅双极性晶体管高压功率控制二极管
页数	文件大小	规格书
6页	548K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBH10N170 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXBH10N170 数据手册

V_CES= 1700 V

I_C2520 A

V_CE(sat)= 3.8 V

HighVoltage,HighGain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

IXBH 10N170

IXBT 10N170

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

I_CM

V_CES

1350

C (TAB)

Clamped inductive load

P_C

T_C= 25°C

140

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

°C

-55 ... +150

Features

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

^zHigh Blocking Voltage

^zJEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

260

^zLow conduction losses

M_d

Mounting torque (M3) (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

- drive simplicity

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

^zAC motor speed control

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

Temperature Coefficent

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

Temperature Coefficent

1700

3.0

%/K

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

0.10

5.0

- 0.24

%/K

^zCapacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

10 µA

100 µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100 nA

^zHigh power density

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

3.4

4.1

3.8

T_J= 125°C

DS99048(05/03)

12 3 4 5 6

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IXBH14N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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