生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-264AA |
包装说明: | TO-264AA, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 70 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-264AA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 480 ns | 标称接通时间 (ton): | 86 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGK35N120CD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGK400N30A3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBTs | |
IXGK400N30A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGK50N120C3H1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs w/ Diode | |
IXGK50N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK50N50BU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGK50N60A2D1 | IXYS |
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IGBT with Diode | |
IXGK50N60A2U1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 | |
IXGK50N60AU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGK50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |