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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.04 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 271040 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220-1 | Samacsys Released Date： | 2018-09-03 13:01:11 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7401 | ADI |
获取价格 |
Thermoelectric Cooler Controller |
|
| IRF7401 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm) |
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| IRF74016 | MOTOROLA |
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10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF7401PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7401PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7401TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRF7401TRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology |
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| IRF7402 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7402PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF7402TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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