5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7402PBF
IRF7402PBF PDF预览

IRF7402PBF

更新时间： 2024-11-19 03:58:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 184K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7402PBF 数据手册

 浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7402PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95202  
IRF7402PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢁ Generation V Technology  
ꢁ Ultra Low On-Resistance  
ꢁ N-Channel MOSFET  
ꢁ Very Small SOIC Package  
ꢁ Low Profile (<1.1mm)  
ꢁ Available in Tape & Reel  
ꢁ Fast Switching  
A
A
D
1
2
3
4
8
7
S
S
S
G
VDSS = 20V  
D
6
5
D
D
RDS(on) = 0.035Ω  
ꢁ Lead-Free  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitching  
speed and ruggedized device design that HEXFET  
power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characterstics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements, multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infrared or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8 W is possible in a  
typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
6.8  
5.4  
Units  
A
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current ꢂ  
54  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢃ  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
9/30/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRF7402PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7402TRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRF7402PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7402TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7402TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7402UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7402UTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7403 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET
IRF7403_04 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7403HR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7403PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7403TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7403TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

与IRF7402PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证