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IRF7403TR

更新时间： 2024-11-19 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

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IRF7403TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7403TR 数据手册

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PD - 9.1245B  
IRF7403  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel Mosfet  
A
A
1
8
S
D
VDSS = 30V  
2
7
S
D
l Surface Mount  
3
6
5
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
S
D
D
4
G
R
DS(on) = 0.022Ω  
Top View  
Description  
Fifth GenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing  
techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthat  
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient device for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced  
thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements, multiple devices can be used in  
an application with dramatically reduced board space. The package is designed  
for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of  
greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
9.7  
8.5  
A
5.4  
34  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
50  
°C/W  
8/25/97  
1234567...9

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IRF7403TR 替代型号

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