IRF740ALPBF

更新时间： 2024-09-13 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
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Power MOSFET

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IRF740ALPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.59
雪崩能效等级（Eas）：	630 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF740ALPBF 数据手册

IRF740AS, IRF740AL, SiHF740AS, SiHF740AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

400

Requirement

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.9

COMPLIANT

• Fully

Characterized

Capacitance

and

_gs(nC)

_gd(nC)

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossspecified (AN 1001)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset

(Both for US Line Input Only)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF740ASPbF

SiHF740AS-E3

IRF740AS

D²PAK (TO-263)

IRF740ASTRRPbF^a

SiHF740ASTR-E3^a

IRF740ASTRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF740ALPbF

SiHF740AL-E3

IRF740AL

IRF740ASTRLPbF^a

SiHF740ASTL-E3^a

IRF740ASTRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF740AS

SiHF740ASTL^a

SiHF740ASTR^a

SiHF740AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

6.3

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

630

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

12.5

3.1

_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 12.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 330 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF740A/SiHF740A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91052

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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