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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.12 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7404PBF-1 | INFINEON |
功能相似  |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
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| IRF7404QPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = |
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| IRF7404 | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7406 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF7406GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7406PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7406PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7406TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7406TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF7406TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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| IRF7406TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF740A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF740A | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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