IRF740AS

更新时间： 2024-09-13 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
Power MOSFET

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IRF740AS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	630 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF740AS 数据手册

IRF740AS, IRF740AL, SiHF740AS, SiHF740AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

400

Requirement

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.9

COMPLIANT

• Fully

Characterized

Capacitance

and

_gs(nC)

_gd(nC)

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossspecified (AN 1001)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset

(Both for US Line Input Only)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF740ASPbF

SiHF740AS-E3

IRF740AS

D²PAK (TO-263)

IRF740ASTRRPbF^a

SiHF740ASTR-E3^a

IRF740ASTRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF740ALPbF

SiHF740AL-E3

IRF740AL

IRF740ASTRLPbF^a

SiHF740ASTL-E3^a

IRF740ASTRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF740AS

SiHF740ASTL^a

SiHF740ASTR^a

SiHF740AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

6.3

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

630

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

12.5

3.1

_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 12.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 330 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF740A/SiHF740A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91052

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF740ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRF740BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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