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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF740F | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
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| IRF740FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740FPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740FXPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF740HPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF740L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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