Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF740ASTRLPBF

IRF740ASTRLPBF

更新时间： 2024-11-18 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	171K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF740ASTRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.52	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	630 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF740ASTRLPBF 数据手册

IRF740AS, IRF740AL, SiHF740AS, SiHF740AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

400

Requirement

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.9

COMPLIANT

• Fully

Characterized

Capacitance

and

_gs(nC)

_gd(nC)

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossspecified (AN 1001)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset

(Both for US Line Input Only)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF740ASPbF

SiHF740AS-E3

IRF740AS

D²PAK (TO-263)

IRF740ASTRRPbF^a

SiHF740ASTR-E3^a

IRF740ASTRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF740ALPbF

SiHF740AL-E3

IRF740AL

IRF740ASTRLPbF^a

SiHF740ASTL-E3^a

IRF740ASTRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF740AS

SiHF740ASTL^a

SiHF740ASTR^a

SiHF740AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

6.3

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

630

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

12.5

3.1

_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 12.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 330 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF740A/SiHF740A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91052

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRF740ASTRLPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB11NK40ZT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220F
IRF740ST4	STMICROELECTRONICS	功能相似	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
IRF740S	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - D2PAK PowerMESH] MOSFET

与IRF740ASTRLPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF740ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740B	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET
IRF740B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRF740BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740BPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF740C	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740CHIP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| CHIP
IRF740D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
IRF740D1	MOTOROLA	获取价格	10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

与IRF740ASTRLPBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF740ASTRLPBF

IRF740ASTRLPBF 技术参数

IRF740ASTRLPBF 数据手册

IRF740ASTRLPBF 替代型号

与IRF740ASTRLPBF相关器件

与IRF740ASTRLPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF740ASTRLPBF

IRF740ASTRLPBF 技术参数

IRF740ASTRLPBF 数据手册

IRF740ASTRLPBF 替代型号

与IRF740ASTRLPBF相关器件

与IRF740ASTRLPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？