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IRF740ST4

更新时间： 2024-09-14 23:58:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	95K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB

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IRF740ST4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.26	雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRF740ST4 数据手册

IRF740S

N - CHANNEL 400V - 0.48 Ω - 10 A - D PAK

PowerMESH MOSFET

TYPE

IRF740S

V_DSS

R_DS(on)

I_D

400 V

< 0.55 Ω

10 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.48 Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATECHARGE MINIMIZED

FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT

SALES OFFICE

D²PAK

TO-263

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using the

company’s consolidated strip layout-based MESH

(Suffix ”T4”)

OVERLAY

process. This technology matches

and improves the performances compared with

standardparts from various sources.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT SWITCHING

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,

INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

400

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

V_DGR

V_GS

I_D

400

± 20

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 100 C

6.3

I_DM(• )

P_tot

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T_c= 25 C

125

Derating Factor

1.0

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope

4.0

T_stg

Storage Temperature

-65 to 150

T_j

Max. Operating Junction Temperature

150

(•) Pulse width limited by safe operating area

(1) I_SD≤10 A, di/dt ≤120 Α/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, Tj ≤ T_JMAX

1/8

August 1998

12 3 4 5 6 7 8

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IRF740ST4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF740ASTRLPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRF740ST4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF740STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740STRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF740STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740U	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740U2	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740W	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF740WC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF741	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
IRF7410	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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