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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF741-011PBF | INFINEON | 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF741-012 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF741-013PBF | INFINEON | 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF7410GPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7410PBF | INFINEON | HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7410PBF-1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor |
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