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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF740W | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF740WC | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF741 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
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| IRF7410 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF741-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF741-002PBF | INFINEON |
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10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF741-003PBF | INFINEON |
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10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF741-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF741-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF741-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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