是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.09 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.007 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 65 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7410TR | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRF7410TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7410 | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7410PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IRF7410TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRF7410TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7413 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A) | |
IRF7413_07 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET | |
IRF7413A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.0135ohm) | |
IRF7413APBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF7413GPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7413GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology | |
IRF7413PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |