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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7406TRPBF
IRF7406TRPBF PDF预览

IRF7406TRPBF

更新时间： 2024-10-30 12:33:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 240K
描述
Generation V Technology

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IRF7406TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.7
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5.8 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：23 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7406TRPBF 数据手册

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PD - 95302  
IRF7406PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel Mosfet  
l Surface Mount  
A
D
1
2
8
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
3
4
6
S
G
D
5
D
RDS(on) = 0.045Ω  
l Lead-Free  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
the lowest possible on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques. Power dissipation of greater than 0.8W  
is possible in a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-6.7  
-5.8  
A
-3.7  
-23  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
10/7/04  
1234567...9

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IRF7406TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7303TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7314TRPBF INFINEON

类似代替

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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7406TRPBF-1 INFINEON

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