IRF740APBF

更新时间： 2024-10-30 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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8页	158K
描述
Power MOSFET

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IRF740APBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	0.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	630 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF740APBF 数据手册

IRF740A, SiHF740A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.9

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

N-Channel MOSFET

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset (Both for US Line

Input Only)

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF740APbF

SiHF740A-E3

IRF740A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF740A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

6.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

630

E_AR

12.5

125

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.9

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 12.6 mH, R_G= 25 Ω I_AS= 10 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dV/dt ≤ 330 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91051

S-81291-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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IRF740APBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF730APBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
STP7NK40Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/D
STP11NK40Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP

与IRF740APBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF740AS	INFINEON	获取价格	Switch Mode Power Supply (SMPS)
IRF740AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF740ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740ASTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740B	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET

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