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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7314TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Generation V Technology |
|
| IRF7404TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
generation v technology |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7304 | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7304PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7304PBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPOWERMOSFET |
|
| IRF7304PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF7304QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7304QPBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRF7304QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRF7304TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7304TR | UMW |
获取价格 |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25 |
|
| IRF7304TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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