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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.59 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7307TRPBF | INFINEON |
完全替代  |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7307 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET |
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| FDS9934C | FAIRCHILD |
功能相似 |
Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7307QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7307QPBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPOWERMOSFET |
|
| IRF7307QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
|
| IRF7307TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
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| IRF7307TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V，P：-20V;持续漏极电 |
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| IRF7307TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF7309 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7309IPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7309PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7309PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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