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IRF7309PBF-1

更新时间： 2024-11-18 15:35:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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IRF7309PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF7309PBF-1 数据手册

IRF7309PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

N-CH P-CH

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (max)}

0.05

-30

0.10

I_D

SO-8

4.0

-3.0

(@T_A= 25°C)

Features

Benefits

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Tube/Bulk

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

4000

IRF7309PbF-1

IRF7309TRPbF-1

IRF7309PbF-1

SO-8

Tape and Reel

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November 14, 2013

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IRF7309PBF-1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7309TRPBF-1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor
IRF7309PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET
IRF7309	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRF7309PBF-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7309QPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7309TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF7309TR	UMW	获取价格	种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电
IRF7309TRPBF	INFINEON	获取价格	GENERATION V TECHNOLOGY
IRF7309TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF730A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF730A	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF730A	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF730A16A	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF730AF	MOTOROLA	获取价格	4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB