Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF730ASTRRPBF

IRF730ASTRRPBF

更新时间： 2024-11-18 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	166K
描述
Power MOSFET

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IRF730ASTRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.02	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.5 A	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF730ASTRRPBF 数据手册

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

R_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

V_GS= 10 V

1.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

5.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

9.3

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Sspeed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

N-Channel MOSFET

• Single Transistor Flyback Xfmr. Reset

• Single Transistor Forward Xfmr. Reset

(Both US Line Input Only)

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRF730ASPbF

SiHF730AS-E3

IRF730AS

IRF730ASTRLPbF^a

SiHF730ASTL-E3^a

IRF730ASTRL^a

IRF730ASTRRPbF^a

SiHF730ASTR-E3^a

IRF730ALPbF

Lead (Pb)-free

SiHFL014T-E3

SnPb

SiHF730AS

SiHF730ASTL^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

400

_C= 25 °C

5.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.5

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

0.6

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

290

5.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.6

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 19 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.5 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF730A/SiHF730A data and test condition

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91046

S-Pending-Rev. A, 30-May-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF730B	KERSEMI	获取价格	400V N-Channel MOSFET
IRF730B	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET
IRF730B	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
IRF730C	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF730CF	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
IRF730CHIP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| CHIP
IRF730D1	MOTOROLA	获取价格	4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF730F	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF730F1	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
IRF730FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-220VAR

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