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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF730WC | MOTOROLA |
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4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF731 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| IRF731 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOIC |
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| IRF731-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-002PBF | INFINEON |
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5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF731-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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