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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7311 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7311PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7311TR | INFINEON |
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Generation V Technology |
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| IRF7311TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7311TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7313 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF7313PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7313PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7313QPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7313TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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