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IRF7313PBF-1

更新时间： 2024-09-29 14:51:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体管
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7页	204K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRF7313PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.17	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7313PBF-1 数据手册

IRF7313PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

0.029

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

Q_{g (typical)}

I_D

6.5

SO-8

(@T_A= 25°C)

Top View

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Tube/Bulk

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

4000

IRF7313PbF-1

IRF7313TRPbF-1

IRF7313PbF-1

SO-8

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings ( T_A= 25°C Unless Otherwise Noted)

Symbol

V_DS

V_GS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

6.5

T_A= 25°C

T_A= 70°C

Continuous Drain Currentꢀ

I_D

5.2

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

I_DM

I_S

2.5

T_A= 25°C

T_A= 70°C

2.0

1.3

Maximum Power Dissipation ꢀ

P_D

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AS

I_AR

4.0

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

E_AR

0.20

5.8

V/ ns

°C

dv/dt

T_J,T_STG

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Limit

Units

Maximum Junction-to-Ambientꢀ

R_θJA

62.5

°C/W

November 14, 2013

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF7313TR	UMW	获取价格	种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7313TRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology
IRF7313TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF7313UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7313UTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7314	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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