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IRF7317

更新时间： 2024-09-27 22:51:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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10页 158K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7317 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.6 A
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL功耗环境最大值：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7317 数据手册

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PD - 9.1568B  
IRF7317  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
N-CHANNEL MOSFET  
N-Ch P-Ch  
1
8
S1  
D1  
D 1  
2
7
G 1  
VDSS 20V  
-20V  
3
6
5
S2  
D2  
D 2  
l Fully Avalanche Rated  
4
G 2  
P-CHANNEL MO SFET  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO -8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
20  
-20  
V
± 12  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6.6  
5.3  
26  
-5.3  
-4.3  
-21  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
PD  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
100  
4.1  
150  
-2.9  
mJ  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
12/9/97  
1234567...10

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