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IRF7319TR

更新时间： 2024-06-04 19:38:26
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
10页 428K
描述
种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V; P：-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.9A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:N:31mΩ; P: 60mΩ@10V

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IRF7319TR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7319TR 数据手册

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R
UMW  
IRF7319  
P Channel MOSFET  
Dual N+  
Features  
N-Ch:  
VDS (V) = 30V  
l
31m  
48m  
(VGS  
(VGS  
=
=
10V)  
l
RDS(ON)  
RDS(ON)  
N-CHANNEL MOSFET  
1
8
4.5V)  
l
D
D
S1  
G1  
P-Ch:  
2
7
VDS (V) = -30V  
l
l
l
60m  
(VGS  
10V)  
-
=
RDS(ON)  
RDS(ON)  
3
4
6
5
S2  
G2  
D
D
100m  
(VGS = -4.5V)  
l
l
l
l
Generation V Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dual N and P Channel MOSFET  
Surface Mount  
P-CHANNEL MOSFET  
Top View  
l
l
Fully Avalanche Rated  
Lead-Free  
Description  
The SOP-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements.  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reducea board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave  
soldering technigues.  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
V
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6.5  
5.2  
30  
-4.9  
-3.9  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7319TRPBF INFINEON

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