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IRF7319TR

更新时间： 2024-02-17 00:35:38
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英飞凌 - INFINEON /
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PD - 9.1606A  
IRF7319  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
N -C H A N N E L M O S F E T  
N-Ch P-Ch  
1
8
S1  
D1  
D 1  
2
7
G 1  
VDSS 30V  
-30V  
3
6
S2  
D2  
D 2  
l Fully Avalanche Rated  
4
5
G 2  
P -C H A NN E L M O S FE T  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
V
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6.5  
5.2  
30  
-4.9  
-3.9  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
PD  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
9/15/97  
1234567...10

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IRF7319TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7389TRPBF INFINEON

功能相似

 Generation V Technology
IRF7319TRPBF INFINEON

功能相似

 GenarafionV Technology
FDS8958A FAIRCHILD

功能相似

 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与IRF7319TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7319TRPBF INFINEON

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 		GenarafionV Technology
IRF731FI NJSEMI

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IRF731R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB
IRF732 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF732 ROCHESTER

获取价格

 		4.5A, 400V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF732 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOIC
IRF7321D2 INFINEON

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 		FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7321D2PBF INFINEON

获取价格

 		FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7321D2TRPBF INFINEON

获取价格

 		Transistor,
IRF7322D1 INFINEON

获取价格

 		MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )

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