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IRF7324TR

更新时间： 2024-11-18 17:15:39

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	362K
描述
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-9A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:18mΩ@-4.5V

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IRF7324TR 数据手册

UMW

IRF7324

Dual P-Channel MOSFET

Features

VDS (V)=-20V

18 m (VGS =-4.5V)

26 m (VGS =-2.5V)

RDS(ON)

●

Trench Technology

●

Ultra Low On-Resistance

●

Low Profile (<1.1mm)

Available in Tape & Reel

2.5V Rated

Lead-Free

Top View

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-20

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-9.0

-7.1

-71

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.0

1.3

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

62.5

°C/W

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7 8

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