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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF PDF预览

IRF7324TRPBF

更新时间： 2024-11-18 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 169K
描述
Trench Technology

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IRF7324TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.83其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：71 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7324TRPBF 数据手册

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PD - 95460  
IRF7324PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
●
Trench Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dual P-Channel MOSFET  
Low Profile (<1.1mm)  
Available in Tape & Reel  
2.5V Rated  
1
2
8
S1  
G1  
D1  
VDSS = -20V  
7
D1  
3
4
6
S2  
D2  
5
G2  
D2  
RDS(on) = 0.018Ω  
Lead-Free  
Top View  
Description  
NewtrenchHEXFET® PowerMOSFETs fromInternational  
Rectifier utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Thisbenefit,combinedwiththeruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in battery and load management  
applications.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-20  
Units  
V
VDS  
Drain-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current  
-9.0  
-7.1  
A
-71  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.0  
W
W
1.3  
16  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient ƒ  
62.5  
°C/W  
www.irf.com  
1
6/29/04  
12345678

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IRF7324TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7324 INFINEON

类似代替

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