5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF733-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF733-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF733-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF733-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF733-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF733-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF733-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7331 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7331PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7331PBF_08 | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
