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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7328TRPBF
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IRF7328TRPBF

更新时间： 2024-09-25 12:30:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 175K
描述
Trench Technology

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IRF7328TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.86Samacsys Description：Infineon IRF7328TRPBF Dual P-channel MOSFET, 8 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRF7328TRPBF 数据手册

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PD - 95196A  
IRF7328PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Trench Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dual P-Channel MOSFET  
Available in Tape & Reel  
Lead-Free  
VDSS  
-30V  
RDS(on) max  
21mΩ@VGS = -10V  
32mΩ@VGS = -4.5V  
ID  
-8.0A  
-6.8A  
Description  
1
2
8
New trench HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the  
ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in battery and load management applications.  
S1  
G1  
D1  
7
D1  
3
4
6
S2  
D2  
5
G2  
D2  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-30  
Units  
V
VDS  
Drain-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
-8.0  
-6.4  
A
-32  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.0  
W
W
1.3  
16  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient ƒ  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
12/03/10  
12345678

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IRF7328TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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