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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7321D2 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET & Schottky Diode |
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| IRF7321D2PBF | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET & Schottky Diode |
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| IRF7321D2TRPBF | INFINEON |
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Transistor, |
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| IRF7322D1 | INFINEON |
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MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V ) |
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| IRF7322D1PBF | INFINEON |
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FETKY MOSFET / Schottky Diode |
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| IRF7322D1PBFTR | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| IRF7322D1TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.062ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7322D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.062ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7324 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET? Power MOSFET |
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| IRF7324D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET / Schottky Diode |
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