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IRF7319TRPBF

更新时间： 2024-01-02 15:21:18
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
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描述
GenarafionV Technology

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IRF7319TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.94
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：82 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7319TRPBF 数据手册

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PD - 95267  
IRF7319PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
N-CHANNEL MOSFET  
N-Ch P-Ch  
1
8
D1  
D1  
S1  
G1  
2
7
VDSS 30V  
-30V  
3
4
6
5
S2  
G2  
D2  
D2  
P-CHANNEL MOSFET  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
V
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6.5  
5.2  
30  
-4.9  
-3.9  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
8/17/04  
1234567...10

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IRF7319TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7319 INFINEON

完全替代

 HEXFET?? Power MOSFET
IRF7389TRPBF INFINEON

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IRF7389PBF INFINEON

类似代替

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IRF7322D1 INFINEON

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IRF7322D1PBF INFINEON

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