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IRF7319TRPBF

更新时间： 2024-11-23 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
10页 229K
描述
GenarafionV Technology

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IRF7319TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.73Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：552415
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：8 Lead SOIC
Samacsys Released Date：2018-11-02 10:56:41Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：82 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7319TRPBF 数据手册

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PD - 95267  
IRF7319PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
N-CHANNEL MOSFET  
N-Ch P-Ch  
1
8
D1  
D1  
S1  
G1  
2
7
VDSS 30V  
-30V  
3
4
6
5
S2  
G2  
D2  
D2  
P-CHANNEL MOSFET  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
V
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
6.5  
5.2  
30  
-4.9  
-3.9  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
5.0  
-5.0  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
8/17/04  
1234567...10

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IRF7319TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7319 INFINEON

完全替代

 HEXFET?? Power MOSFET
IRF7389TRPBF INFINEON

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IRF7389PBF INFINEON

类似代替

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IRF7322D1 INFINEON

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IRF7322D1PBF INFINEON

获取价格

 		FETKY MOSFET / Schottky Diode

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