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IRF7389PBF

更新时间： 2024-11-23 03:15:23
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 259K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7389PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：6.99Base Number Matches：1

IRF7389PBF 数据手册

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PD - 95462  
IRF7389PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Complimentary Half Bridge  
l Surface Mount  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
N-CHANNEL MOSFET  
N-Ch P-Ch  
1
8
D
D
S1  
G1  
2
7
VDSS 30V  
-30V  
3
4
6
5
S2  
G2  
D
D
P-CHANNEL MOSFET  
RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
-30  
V
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
7.3  
5.9  
30  
-5.3  
-4.2  
-30  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
-2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.5  
1.6  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
140  
-2.8  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
3.8  
-2.2  
V/ ns  
-55 to + 150 °C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambient ꢀ  
RθJA  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
6/29/04  
1234567...10

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IRF7389PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7389TRPBF INFINEON

类似代替

 Generation V Technology
IRF7319TRPBF INFINEON

类似代替

 GenarafionV Technology
IRF7319PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRF7389PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7389PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
IRF7389TR INFINEON

获取价格

 		Generation v technology
IRF7389TR UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电
IRF7389TRPBF INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology
IRF740 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF740 ISC

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 		N-Channel MOSFET Transistor
IRF740 SUNTAC

获取价格

 		POWER MOSFET
IRF740 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF740 INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF740 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V

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