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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7402TR
IRF7402TR PDF预览

IRF7402TR

更新时间： 2024-11-19 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 136K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7402TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：FAST SWITCHING配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.8 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：54 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7402TR 数据手册

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PD - 93851A  
IRF7402  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Fast Switching  
A
A
D
1
2
8
S
S
VDSS = 20V  
7
D
3
4
6
5
S
D
G
D
RDS(on) = 0.035Ω  
Top V iew  
Description  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitching  
speed and ruggedized device design that HEXFET  
power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characterstics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements, multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infrared or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8 W is possible in a  
typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
6.8  
Units  
A
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.4  
54  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient „  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
2/22/00  
12345678

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IRF7402TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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