IRF7404PBF

更新时间： 2024-11-19 03:58:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
9页	232K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7404PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, SO-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	6.89	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	610199
Samacsys Pin Count：	8	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	Small Outline Packages	Samacsys Footprint Name：	IRF7404PBF
Samacsys Released Date：	2019-04-08 09:38:04	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7404PBF 数据手册

PD - 95203

IRF7404PbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Generation V Technology

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel Mosfet

l Surface Mount

V_DSS= -20V

l Available in Tape & Reel

l Dynamic dv/dt Rating

l Fast Switching

R_DS(on)= 0.040Ω

Top View

l Lead-Free

Description

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient device for use in a wide

variety of applications.

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

powerapplications. Withtheseimprovements,multiple

devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically

reduced board space. The package is designed for

vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.

Power dissipation of greater than 0.8W is possible in

a typical PCB mount application.

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

10 Sec. Pulsed Drain Current, V_GS@ -4.5V

Max.

-7.7

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-6.7

-5.4

-27

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.02

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

-5.0

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

www.irf.com

9/30/04

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

IRF7404PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7306TRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IRF7303TRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7404TRPBF	INFINEON	类似代替	generation v technology

与IRF7404PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7404PBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404QPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) =
IRF7404QTRPBF	INFINEON	获取价格	Transistor
IRF7404TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7404TRPBF	INFINEON	获取价格	generation v technology
IRF7404TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7406	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRF7406GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET